Solusi dalam structuring
Konsep structuring inovatif untuk produksi sel surya
Merck mengembangkan rangkaian lengkap material structuring yang dibuat sesuai kebutuhan industri fotovoltaik sehingga memungkinkan proses yang mudah, ramah lingkungan, efisiensi dan laju produksi yang meningkat.
Jika lapisan fungsional pada sel surya perlu distruktur, metode pembuatan pola alternatif seperti fotolitografi, laser ablation, atau pengetsaan plasma memiliki beberapa kekurangan: Terlalu mahal atau dapat menyebabkan kerusakan akibat pembentukan partikel pada permukaan susbtrat. Konsep unik isishape SolarEtch® Merck menawarkan konsep material etsa yang dapat dicetak pada layar dan dispensable sehingga memungkinkan pemolaan yang mudah, efisien dan cepat.
Keuntungan yang dapat Anda peroleh - Waktu structuring yang cepat dan konsumsi material yang rendah
Material structuring Merck, isishape® hanya membutuhkan proses structuring 3 langkah sederhana proses structuring sehingga memungkinkan produksi skala besar yang sangat ekonomis menggunakan perangkat standar untuk printing, pengetsaan dan pencucian. Konsep isishape® memungkinkan konsumsi material yang lebih sedikit serta waktu structuring yang cepat dan secara efektif mengontrol perilaku penyebaran pasta. Dengan mengganti teknologi produksi konvensional, isishape® memungkinkan atau mempermudah konsep sel baru, seperti “Pengemisi Selektif”. Selain itu, penggunaan produk isishape® yang ramah lingkungan memungkinkan pembersihan yang mudah tanpa detergen organik, menghasilkan konsentrasi organik yang sangat rendah dalam air bilasan (Biological/Chemical Oxygen Demand BOD/COD).
Aplikasi - Alternatif lebih baik
Ragam produk isishape SolarEtch® dapat digunakan untuk secara selektif mengetsa coating antireflektif dan lapisan pasivasi pada sel surya. Berdasarkan pada institusi R&D yang terdepan, konsep isishape® secara khusus direkomendasikan penggunaannya pada produksi sel surya generasi baru dengan efisiensi tinggi.
Teknologi - Bagaimana cara kerjanya?
isishape® mampu mengetsa lapisan pada hampir semua oksida konduktif transparan, (misalnya ITO, ZnO), lapisan antireflektif atau penghalang difusi (misalnya SiO2, SiNx), semikonduktor (misalnya a-Si, poly-Si) dan logam (misalnya aluminum). Konsep isishape® inovatif memungkinkan suatu proses structuring yang mudah termasuk empat langkah pemrosesan: pencetakan pasta etsa pada daerah substrat dimana material perlu dihilangkan, pemanasan substrat yang memicu pengetsaan, pembilasan pada air DI untuk membersihkan substrat dari material lapisan yang dipindahkan, dan pada akhirnya pengeringan substrat. Material isishape® telah terbukti kesesuaiannya di bawah kondisi produksi massal pada beragam aplikasi yang menargetkan pada sistem lapisan dapat etsa yang berbeda.
Anda membutuhkan informasi lebih lanjut? Silakan hubungi kami.
| Informasi Lebih Lanjut: |
|---|
